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[碳化硅功率晶體管/模塊]

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[功率的絕緣柵雙極型晶體管組件]

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[氮化鎵功率晶體管測試/評估產品]

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[氮化鎵功率晶體管]

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[功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管]

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在過去的幾十年中，功率MOSFET晶體管被稱為高頻開關電源的功率半導體工作的馬（SPMS）。功率MOSFET提供了幾個明顯的優勢，包括超快速開關（整流）的速度，極低的開關損耗，因此，卓越的效率。此外，功率MOSFET晶體管具有很高的輸入電阻（上為1012歐姆）真的是電壓控制（零偏置電流）設備。我們進行縱向和橫向的MOSFET。典型的應用包括開關電源垂直MOSFET（均為硬開關在200千赫和零電壓開關–ZVS–低于1000瓦），功率因數校正，太陽能逆變器、弧焊、等離子切割機、調幅發射機，D類放大器，感應加熱，和電池充電電路。側MOSFET的應用包括可變功率電阻、軟啟動電路、大電流、高壓開關、線性放大器、大電流恒流源，直流動力荷載。在你的應用中選擇合適的功率MOSFET晶體管是重要的特定屬性包括通態電阻（M?），額定電壓（V），額定電流（A），和封裝類型。我們選擇大功率MOSFET晶體管包括最近的技術進步，如安靜的切換，超低等效柵極電阻（EGR），減少電磁干擾，低柵極電荷MOSFET，和更高的額定能量MOSFET。
[功率IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）晶體管]

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智能功率模塊（IPM）的晶體管用于大量的應用，包括可再生能源、電機控制、牽引系統、電梯、焊接、UPS、白色家電、泵、醫療。我們還進行了最緊湊的集成IPM晶體管提供最高效率。我們提供IPM晶體管專為快速增長的可再生能源的應用，如太陽能逆變器。它的額定電壓一般是有用的組定義。我們都是600V和1200V IPM的晶體管，額定電流為800A的高。我們供應單相和三相系統。IPM晶體管功能包括內置短路保護、欠壓保護、過溫保護、故障信號輸出功能。在你的應用中選擇合適的IPM晶體管是重要的特定屬性包括IPM配置（單，雙，六包，七包，斬波器，收集CI，等），額定電壓（V），額定電流（A）和封裝類型。
[功率絕緣柵雙極晶體管]

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功率IGBT晶體管用于大量的應用。可再生能源，電機控制，牽引系統，電梯，焊接，UPS。我們還進行了最緊湊的集成IGBT模塊提供最高效率。我們提供的IGBT模塊專為快速增長的可再生能源的應用。例如，我們提供的“三電平逆變器模塊”的風力發電和太陽能發電系統。此外，我們還進行了其他多電平逆變器模塊的一些重要應用。我們的產品可用于IGBT模塊的開關頻率高達50 kHz的優化，具有電壓高達6500伏，電流為2500安培，高。我們的離散IGBT晶體管可用于開關頻率高達120千赫，可以使用電壓高達1200伏，電流為100安培的高。在你的應用中選擇合適的功率IGBT晶體管是重要的特定屬性包括IGBT結構（單、雙、升壓斬波電路、降壓斬波電路，IGBT +二極管，6-1，等），額定電壓（V），額定電流（A）和封裝類型。
[功率耗散型場效應管]

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與功率MOSFET功率晶體管，FREDFET具有快速恢復體二極管的特性，提供快速切換（高轉換速度），高dv/dt，增強耐用性，極低的開關損耗，可靠性高，效率高。此外，功率晶體管FREDFET排放水平低的EMI（電磁干擾），通常具有低柵極電荷，和一些FREDFET甚至額定能量。典型的應用包括FREDFET零電壓開關（ZVS）電路、功率因數校正、太陽能逆變器、弧焊、等離子切割機、調幅發射機，D類放大器、感應加熱、等離子體沉積、電池充電、高壓脈沖直流電路。在你的應用中選擇合適的功率晶體管是重要的特定屬性包括FREDFET額定電壓（V），額定電流（A），通態電阻（M?）和封裝類型。

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