1×N MEMS光開關,國內首家自主研發MEMS光開關,纖小的體積、可靠的性能、簡便的控制方式,使其成為動態配置分插復用器OADM、交叉連接器OXC、系統監測與保護的理想器件。小型的封裝更易于集成進高密度的光通信系統中。
1×N MEMS光開關,國內首家自主研發MEMS光開關,纖小的體積、可靠的性能、簡便的控制方式,使其成為動態配置分插復用器OADM、交叉連接器OXC、系統監測與保護的理想器件。小型的封裝更易于集成進高密度的光通信系統中。
產品特點
·波長范圍寬
·低信道串擾
·高穩定性、高可靠性
·獨有專利技術、光路無膠
·控制簡單
應用范圍
·光路切換
·系統監測
·實驗室研發
·動態配置分插復用
技術參數
型 號 |
|
OSW-1×4、1×8、1×16 |
|||||
波長范圍 |
nm |
1310 or 1490 or 1550 (SM) |
1310 & 1490 & 1550 (MM) |
850 or 1310(MM) |
|||
插入損耗 (1×4) |
dB |
Typ:0.8 |
Max:1.0 |
Typ:1.0 |
Max:1.2 |
Typ:0.8 |
Max:1.0 |
插入損耗 (1×8) |
dB |
Typ:0.8 |
Max:1.0 |
Typ:1.0 |
Max:1.2 |
Typ:0.8 |
Max:1.0 |
插入損耗 (1×16) |
dB |
Typ:1.0 |
Max:1.2 |
Typ:1.2 |
Max:1.5 |
Typ:1.0 |
Max:1.2 |
偏振相關損耗 |
dB |
≤0.05 |
|||||
回波損耗 |
dB |
SM≥55、MM≥35 |
|||||
波長相關損耗 |
dB |
≤0.25 |
|||||
信道串擾 |
dB |
SM≥55、MM≥35 |
|||||
重復性 |
dB |
≤±0.02 |
|||||
工作電壓 |
v |
5.0 |
|||||
使用壽命 |
次 |
≥107 |
|||||
開關時間 |
ms |
≤8 |
|||||
傳輸光功率 |
mW |
≤500 |
|||||
工作溫度 |
℃ |
-20~+70 |
|||||
儲存溫度 |
℃ |
-40~+85 |
|||||
外形尺寸(公差±0.2) |
mm |
1×4(67×42×12.5) |
1×8(67×42×12.5) |
1×16(92×60×12.5) |