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功率耗散型場(chǎng)效應(yīng)管

功率耗散型場(chǎng)效應(yīng)管

與功率MOSFET功率晶體管,F(xiàn)REDFET具有快速恢復(fù)體二極管的特性,提供快速切換(高轉(zhuǎn)換速度),高dv/dt,增強(qiáng)耐用性,極低的開關(guān)損耗,可靠性高,效率高。此外,功率晶體管FREDFET排放水平低的EMI(電磁干擾),通常具有低柵極電荷,和一些FREDFET甚至額定能量。典型的應(yīng)用包括FREDFET零電壓開關(guān)(ZVS)電路、功率因數(shù)校正、太陽(yáng)能逆變器、弧焊、等離子切割機(jī)、調(diào)幅發(fā)射機(jī),D類放大器、感應(yīng)加熱、等離子體沉積、電池充電、高壓脈沖直流電路。在你的應(yīng)用中選擇合適的功率晶體管是重要的特定屬性包括FREDFET額定電壓(V),額定電流(A),通態(tài)電阻(M?)和封裝類型。

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與功率MOSFET功率晶體管,F(xiàn)REDFET具有快速恢復(fù)體二極管的特性,提供快速切換(高轉(zhuǎn)換速度),高dv/dt,增強(qiáng)耐用性,極低的開關(guān)損耗,可靠性高,效率高。此外,功率晶體管FREDFET排放水平低的EMI(電磁干擾),通常具有低柵極電荷,和一些FREDFET甚至額定能量。典型的應(yīng)用包括FREDFET零電壓開關(guān)(ZVS)電路、功率因數(shù)校正、太陽(yáng)能逆變器、弧焊、等離子切割機(jī)、調(diào)幅發(fā)射機(jī),D類放大器、感應(yīng)加熱、等離子體沉積、電池充電、高壓脈沖直流電路。在你的應(yīng)用中選擇合適的功率晶體管是重要的特定屬性包括FREDFET額定電壓(V),額定電流(A),通態(tài)電阻(M?)和封裝類型。